Семь лет назад силицен существовал разве что в мечтах теоретиков. Чувствуя определенную поддержку из-за бешеного интереса к графену – известному материалу, состоящему из углеродных сот толщиной всего в один атом – исследователи выражали надежду, что атомы кремния тоже могут образовывать подобные листы. И если бы их можно было использовать для создания электронных приборов, эти ленты силицена позволили бы промышленности полупроводников достичь невиданных горизонтов миниатюризации.

На этой неделе исследователи делают большой шаг вперед к воплощению этой мечты, приоткрывая детали относительно первого транзистора с силиценом.

«Хотя технические характеристики аппарата довольно скромные, а продолжительность его жизни измеряется минутами, такое воплощение концепта уже вызывает смятение во время конференций», – говорит Деджи Акинванд, исследователь наноматериалов из Университета штата Техас в городе Остин, который помогал создать этот транзистор.

Ги Ле Лей, материаловед из Университета во Франции, соглашается с высказанным. «Никто не ожидал подобного за столь малый отрезок времени – не ожидал, что из чего-то, чего в принципе не существовало, можно будет сделать транзистор», – отмечает он.

Ле Лей был одним из первых ученых, которые создали силицен в лаборатории, это произошло в 2012 году. Данный дебют совпал с все большим пониманием того, что графен не подходит для создания транзисторов. Графен, возможно, является наиболее прогрессивной субстанцией в мире, однако ему не хватает одной очень важной черты. В отличие от полупроводников, которые используются в компьютерных чипах, у графена нет запрещенной зоны – энергетической преграды, которую электроны должны преодолеть, прежде чем смогут нести заряд. Запрещенные зоны позволяют полупроводниковым приборам включаться и выключаться и выполнять «логические» операции с битами.


На заметку. Хотите узнать, как происходит в цупис регистрация в современных условиях? Исчерпывающая информация по этому вопросу доступна на сайте stavka365.com. Добро пожаловать!